Datasheet下载- 型号： SPB35N10T
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPB35N10T由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPB35N10T价格参考。InfineonSPB35N10T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPB35N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPB35N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的SPB35N10T是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件额定电压为100V，连续漏极电流可达35A，具有低导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率、高功率密度的应用场景。 SPB35N10T广泛应用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，能够有效降低能量损耗，提高整体能效。此外，它也常用于电机驱动电路，包括电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）中的直流或无刷电机控制，提供稳定可靠的开关控制能力。 在照明领域，该MOSFET可用于LED驱动电源，支持恒流输出和高效调光功能。同时，因其良好的热稳定性和耐用性，也适用于工业控制设备、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的辅助电源模块。 SPB35N10T采用TO-263（D²PAK）封装，便于散热和PCB安装，适合自动化生产。其坚固的设计和高性能参数使其在中等功率应用中表现出色，是工业、消费电子及汽车电子中理想的功率开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPB35N10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42c4f8e46d3&fileId=db3a304412b407950112b42c4ffe46d4 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPB35N10T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 83µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 44 毫欧 @ 26.4A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
| 其它名称 | SP000013627 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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