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- 型号： SN74AUP3G06DQER
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SN74AUP3G06DQER由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN74AUP3G06DQER价格参考。Texas InstrumentsSN74AUP3G06DQER封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SN74AUP3G06DQER参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SN74AUP3G06DQER 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SN74AUP3G06DQER 是德州仪器（Texas Instruments）推出的超低功耗三路反相器（带开漏输出），属于逻辑 - 栅极和逆变器类别。其典型应用场景包括： 1. 电池供电设备：得益于AUP系列超低静态电流（典型值仅500 nA）和宽工作电压范围（0.8 V–3.6 V），广泛用于智能穿戴、无线传感器节点、RFID标签、便携式医疗设备等对功耗极度敏感的场景。 2. 电平转换与总线驱动：开漏输出支持上拉至不同电压轨（如1.8 V/3.3 V），可实现多电压域间的双向电平转换，常用于I²C总线缓冲、GPIO扩展或MCU与低电压外设（如EEPROM、传感器）的接口隔离。 3. 信号整形与驱动增强：用于清理噪声信号、延时匹配或驱动LED、小功率MOSFET栅极（需配合上拉电阻），适用于工业控制板、电源管理电路中的使能/复位信号反相与增强。 4. 空间受限设计：采用超小型USON-8（1.5 mm × 1.5 mm）封装，适合高密度PCB布局，常见于智能手机周边模块、TWS耳机充电仓控制电路等微型化终端。 该器件不推荐直接驱动大电流负载（开漏输出无灌电流能力），且需外接上拉电阻以实现逻辑高电平。应用中需注意避免输出悬空，并确保上拉电压不超过VCC及器件绝对最大额定值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC INVERTER GATE LP TRIPL 8X2SON |
| 产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SN74AUP3G06DQER |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 74AUP |
| 不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 10.5ns @ 3.3V， 30pF |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-X2SON（1.4x1.0） |
| 其它名称 | 296-25622-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-XFDFN |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 标准包装 | 1 |
| 特性 | 开路漏极 |
| 电压-电源 | 0.8 V ~ 3.6 V |
| 电流-输出高，低 | -，4mA |
| 电流-静态（最大值） | 0.5µA |
| 电路数 | 3 |
| 输入数 | 3 |
| 逻辑电平-低 | 0.7 V ~ 0.9 V |
| 逻辑电平-高 | 1.6 V ~ 2 V |
| 逻辑类型 | 反相器 |
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