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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMF30AT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMF30AT1G价格参考。ON SemiconductorSMF30AT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMF30AT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMF30AT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMF30AT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于SMF系列(Small Outline Flat Lead),采用SOD-123封装,额定反向关断电压(Vrwm)为30 V,击穿电压(Vbr)典型值约33.3 V,最大钳位电压(Vc)在峰值脉冲电流(Ipp=7.5 A)下为48.4 V,峰值脉冲功率为200 W(10/1000 μs波形)。 其主要应用场景包括: ✅ 电源输入端口保护:用于3.3 V/5 V/12 V/24 V等直流供电线路(如工业控制板、通信模块电源接口),防止雷击感应、开关噪声或热插拔引起的浪涌冲击。 ✅ 信号线ESD防护:适用于RS-232、RS-485、CAN总线、USB电源线(VBUS)、传感器供电线等低速接口的静电放电(IEC 61000-4-2 Level 4,±15 kV空气放电)及EFT抗扰保护。 ✅ 汽车电子辅助系统:满足AEC-Q101认证(该型号已通过),可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)中非关键低压电路(≤30 V工作电压)的瞬态过压防护。 ✅ 消费类与工业设备:如打印机、POS终端、智能电表、PLC I/O模块等对成本敏感、空间受限且需基础浪涌防护的应用。 注意:SMF30AT1G为单向器件,仅适用于直流或单极性信号路径;若用于交流或双向信号(如音频线),需选用双向型号(如SMF30AT3G)。其低钳位电压和快速响应(<1 ns)可有效保护后级MCU、LDO、接口IC等敏感元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 30VWM 48.4VC SOD123FLTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 30V 200W Unidirectional |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor SMF30AT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMF30AT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-123FL |
| 其它名称 | SMF30AT1GOSDKR |
| 击穿电压 | 33.3 V |
| 功率-峰值脉冲 | 1000W (1kW) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123FL |
| 尺寸 | 1.65 mm W x 2.7 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 4.1 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 1 kW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 30 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 33.3V |
| 电压-反向关态(典型值) | 30V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 48.4V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 4.1A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | SMF5.0AT1G |
| 钳位电压 | 48.4 V |