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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SM8S12AHE3/2D由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SM8S12AHE3/2D价格参考。VishaySM8S12AHE3/2D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SM8S12AHE3/2D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SM8S12AHE3/2D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division的SM8S12AHE3/2D是一款表面贴装的瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和其它瞬态电压事件的损害。该器件具有高浪涌能力、响应速度快和低钳位电压等特点。 主要应用场景包括: 1. 汽车电子系统:用于保护车载电子模块如ECU、传感器、CAN总线接口等,防止因电源波动或外部干扰引起的损坏。 2. 工业控制设备:适用于PLC、变频器、工控仪表等设备中的电源与信号线路保护,提高系统稳定性与可靠性。 3. 通信设备:保护通信接口(如RS-485、以太网)免受雷击或静电影响,广泛应用于基站、路由器及交换机中。 4. 消费类电子产品:用于智能手机、平板电脑、智能家电等设备的数据线与充电口保护,增强产品耐用性。 5. 电源管理系统:在DC电源输入端提供过压保护,保障后级电路安全运行。 综上,SM8S12AHE3/2D适用于对可靠性要求较高的多种电子系统中,特别是在恶劣电磁环境中发挥关键保护作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 12VWM 22VC DO218ABTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 12V 5% Unidir |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductors SM8S12AHE3/2DPAR® |
数据手册 | |
产品型号 | SM8S12AHE3/2DSM8S12AHE3/2D |
不同频率时的电容 | - |
产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
供应商器件封装 | DO-218AB |
其它名称 | SM8S12AHE3/2DGIDKR |
击穿电压 | 13.3 V |
功率-峰值脉冲 | 6600W (6.6kW) |
包装 | Digi-Reel® |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
商标 | Vishay Semiconductors |
商标名 | PAR |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-218AB |
封装/箱体 | DO-218AB |
尺寸 | 8.7(Max) mm W x 13.7 mm L |
峰值浪涌电流 | 332 A |
峰值脉冲功率耗散 | 6.6 kW |
工作温度 | -55°C ~ 175°C |
工作电压 | 12 V |
工厂包装数量 | 750 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 13.3V |
电压-反向关态(典型值) | 12V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 22V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 300A |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | SMxSxx |
钳位电压 | 19.9 V |