图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： SKB02N60
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SKB02N60由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SKB02N60价格参考。InfineonSKB02N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SKB02N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SKB02N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SKB02N60 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的一款600V、2A的高压超结（CoolMOS™）功率MOSFET，采用TO-220FP封装（带绝缘法兰），具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.5Ω）、快速开关特性及优异的dv/dt抗扰能力。 其典型应用场景包括： - 中小功率开关电源（SMPS）：如适配器、LED驱动电源、工业辅助电源中用作主开关管，兼顾效率与EMI性能； - 离线式AC-DC转换器：适用于反激（Flyback）或准谐振（QR）拓扑，在85–265V AC输入下实现高效率、小体积设计； - 电机控制与家电驱动：用于风扇、水泵、小功率压缩机等单相电机的驱动电路，作为高频PWM开关元件； - 工业控制与PLC模块：在继电器替代、固态开关、隔离式DC-DC偏置电源中提供可靠、低功耗的功率切换功能； - 电池管理系统（BMS）保护电路：用于充放电回路的过流/短路保护开关（需配合驱动与保护电路）。 该器件不支持IGBT模式（非IGBT，属增强型Si MOSFET），故不适用于大电流硬开关或高di/dt工况；其2A额定电流和TO-220FP封装适合中低功率、对散热与隔离有要求的紧凑型设计。应用时需注意栅极驱动电压（10–15V推荐）、PCB散热设计及雪崩耐量（UIS）裕量。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 20ns/259ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 12A |
| 描述 | IGBT 600V 6A 30W TO263-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 14nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SKB02N60_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426a6303a3b |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SKB02N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 64µJ |
| TestCondition | 400V, 2A, 118 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，2A |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | SKB02N60ATMA1 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 130ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 输入类型 | 标准 |
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