Datasheet下载- 型号： SI7840BDP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7840BDP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7840BDP-T1-GE3价格参考。VishaySI7840BDP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7840BDP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7840BDP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7840BDP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适合应用于以下领域： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，用于提高能效和减小电路体积。 2. 电池供电设备：包括笔记本电脑、平板电脑和手持设备中的电源管理系统，实现低功耗与高效能平衡。 3. 电机控制：在小型电机驱动或H桥电路中作为开关元件，提供快速响应和可靠控制。 4. 负载开关与热插拔应用：用于服务器、通信设备中，控制电源通断，防止过流或短路损坏系统。 5. 汽车电子：如车载充电系统、LED照明控制等对可靠性要求较高的场景。 6. 工业自动化：用于PLC、传感器模块及继电器替代方案中，提升系统响应速度与稳定性。 该MOSFET采用小型封装，适用于空间受限的设计，同时具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，广泛用于中高功率便携及工业类电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7840BDP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
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