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- 型号： SI6963DQ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6963DQ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6963DQ价格参考。Fairchild SemiconductorSI6963DQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6963DQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6963DQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI6963DQ 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的双N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为25mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及100%雪崩额定能力。其典型应用场景包括： • DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于便携式设备、主板VRM、GPU供电等中高电流（连续ID达7.5A）场合，提升转换效率与热性能。 • 负载开关与电源管理：在电池供电系统（如笔记本电脑、平板、POS终端）中用作高效电源路径控制、热插拔保护或背光LED驱动的开关元件。 • 电机驱动与H桥电路：可作为小功率直流电机（如风扇、振动马达）驱动中的半桥开关单元，配合外部上管实现双向控制。 • LED照明驱动：用于PWM调光控制回路，利用其快速开关（ton/toff约10–20ns）实现高精度亮度调节。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平直接驱动，无需额外栅极驱动IC，简化设计并降低成本；内置ESD保护（HBM 2kV）和优化的体二极管反向恢复特性，增强了系统可靠性。适用于对空间、效率与成本敏感的中功率开关应用。
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