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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SI6924AEDQ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6924AEDQ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6924AEDQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6924AEDQ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6924AEDQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6924AEDQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6924AEDQ-T1-GE3 是一款P沟道、0.95A、20V的MOSFET阵列器件，采用双通道配置（双P沟道），封装为小型化的SOT-363（SC-88），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低电压控制和高集成度的场合。 典型应用场景包括： 1. 电源管理开关：用于电池供电设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现对不同模块的上电/断电控制，降低待机功耗。 2. 信号切换与电平转换：在I²C、GPIO等低功率信号线路中作为双向电平转换器，兼容不同电压域之间的通信，常见于微控制器与传感器接口之间。 3. 电机驱动与继电器驱动电路：在小功率直流电机或固态继电器控制中作为驱动开关，提供可靠的导通与关断功能。 4. 热插拔与过流保护电路：配合控制芯片实现对输入电源的软启动和电流限制，防止浪涌电流损坏系统。 SI6924AEDQ-T1-GE3 具有低栅极电荷、快速开关响应和低导通电阻（RDS(on) 约 0.16Ω）的特点，适合高频开关操作。其SOT-363封装节省PCB空间，适用于高密度贴装设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。由于是P沟道器件，其驱动电路设计相对简单，常用于高端开关配置，便于逻辑电平直接控制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI6924AEDQ-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6924AEDQ-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 28V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A |
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