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  • 型号: SI6467DQ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI6467DQ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6467DQ价格参考。Fairchild SemiconductorSI6467DQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI6467DQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6467DQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SI6467DQ 是 Fairchild Semiconductor(现属ON Semiconductor)推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用PowerTrench®工艺,封装为8引脚SO-8(含散热焊盘),具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=4.5V)、快速开关特性及高功率密度。

其典型应用场景包括:  
✅ DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于笔记本电脑、服务器VRM、GPU供电模块等中高电流(持续ID达12A,脉冲30A)、高效率要求场合;  
✅ 负载开关与电源管理:在便携设备(如平板、SSD电源控制)中用作电池保护、热插拔或系统电源域隔离开关;  
✅ 电机驱动与LED驱动:适用于中小功率有刷电机H桥下臂、LED恒流驱动的PWM调光开关;  
✅ 工业与通信设备:如PoE(以太网供电)受电端(PD)的接口开关、FPGA/CPU核心电压调节模块中的功率级。

该器件支持3.3V/5V逻辑电平直接驱动,无需额外驱动电路,简化设计;具备雪崩耐量(UIS)和ESD防护能力,可靠性高。需注意PCB布局时加强散热焊盘焊接与覆铜面积,以保障温升控制。

(字数:398)
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