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- 型号： SI6466DQ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6466DQ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6466DQ价格参考。Fairchild SemiconductorSI6466DQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6466DQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6466DQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI6466DQ 是 Vishay（威世）推出的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 PowerPAK® 1212-8 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 19 mΩ @ VGS = 4.5V）、高开关速度及优良的热性能。其典型应用场景包括： • DC-DC 电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于负载点（POL）电源、CPU/GPU 供电模块（VRM/VRD）等中高电流、高频（可达1–2 MHz）场景； • 电池管理系统（BMS）与便携设备电源管理：因其低栅极电荷（Qg ≈ 12 nC）和低驱动要求，适用于锂电保护电路、移动电源、TWS 耳机充电仓等对效率和尺寸敏感的应用； • 电机驱动与负载开关：可用于小型直流电机（如风扇、振动马达）的H桥驱动或单路负载开关，支持3.3V/5V逻辑电平直接驱动； • LED 驱动与背光控制：在智能手机、平板电脑等设备中用作LED电流路径开关或PWM调光开关。 该器件额定电压为30V，连续漏极电流达12A（TC=25°C），具备内置ESD保护及无铅、符合RoHS标准，适合空间受限、强调能效与可靠性的消费电子与工业嵌入式系统。
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