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  • 型号: SI6426DQ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI6426DQ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6426DQ价格参考。Fairchild SemiconductorSI6426DQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI6426DQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6426DQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SI6426DQ 是 Vishay(威世)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 6-lead PowerPAK® SC-70 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 28 mΩ @ Vgs=4.5V)、小尺寸、高开关效率等特点。其典型应用场景包括:

• 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或 USB 接口过流/反向阻断控制;  
• DC-DC 转换器次级侧同步整流:在小型化 buck 或 boost 转换器中替代肖特基二极管,提升转换效率(尤其在 1–5A 中低电流、3–12V 输入场景);  
• LED 驱动与背光控制:用于中小功率 LED 灯串的 PWM 调光开关,响应快、发热低;  
• 电机驱动辅助电路:在微型马达(如振动马达、小风扇)的启停/方向控制中作逻辑级驱动开关;  
• 热插拔与电源排序电路:配合控制器实现板级电源的软启动与浪涌电流抑制。

该器件最大额定电压为 30V,连续漏极电流达 4.5A(Tc=25°C),适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率嵌入式系统。注意需合理布局散热路径(如敷铜面积)并避免超过 SOA(安全工作区)限制。
产品参数 图文手册 常见问题
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