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  • 型号: SI5481DU-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI5481DU-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5481DU-T1-E3价格参考。VishaySI5481DU-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI5481DU-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5481DU-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI5481DU-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于对空间和能效有较高要求的设计。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、电池供电设备中的电源开关,实现高效能的能量传输与管理。

2. 负载开关:在便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中作为负载开关,控制外设或模块的供电,提升系统效率并减少待机功耗。

3. 电机控制与驱动:适用于小型电机、风扇等直流负载的控制,提供快速开关响应和低损耗。

4. 保护电路:用于过流保护、反向电流阻断等电路中,作为电子开关实现自动控制与隔离。

5. 工业控制与自动化设备:在工业控制系统中用于信号切换、功率控制等,具有较高的可靠性与耐用性。

该 MOSFET 采用小型封装,适合高密度 PCB 设计,广泛应用于消费类电子、通信设备、工业自动化及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI5481DU-T1-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1610pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 6.5A,4.5V

供应商器件封装

PowerPAK® ChipFET 单通道

其它名称

SI5481DU-T1-E3DKR

功率-最大值

17.8W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

PowerPAK® CHIPFET™ 单

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

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