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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI5481DU-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,适用于对空间和能效有较高要求的设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、电池供电设备中的电源开关,实现高效能的能量传输与管理。 2. 负载开关:在便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中作为负载开关,控制外设或模块的供电,提升系统效率并减少待机功耗。 3. 电机控制与驱动:适用于小型电机、风扇等直流负载的控制,提供快速开关响应和低损耗。 4. 保护电路:用于过流保护、反向电流阻断等电路中,作为电子开关实现自动控制与隔离。 5. 工业控制与自动化设备:在工业控制系统中用于信号切换、功率控制等,具有较高的可靠性与耐用性。 该 MOSFET 采用小型封装,适合高密度 PCB 设计,广泛应用于消费类电子、通信设备、工业自动化及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI5481DU-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1610pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® ChipFET 单通道 |
| 其它名称 | SI5481DU-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 17.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® CHIPFET™ 单 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |