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  • 型号: SI4953DY
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4953DY由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4953DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI4953DY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4953DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4953DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SI4953DY 是安森美(ON Semiconductor)推出的双P沟道增强型MOSFET,采用SO-8封装(含两个独立但对称的P-MOSFET),具有低导通电阻(Rds(on)典型值为42 mΩ @ Vgs = –10 V)、逻辑电平驱动(–4.5 V即可充分导通)、高可靠性及热稳定性等特点。

其典型应用场景包括:  
🔹 电源管理中的负载开关:用于便携设备(如平板、POS机、工业手持终端)的背光、USB端口、SIM卡或外设供电的智能启停控制,支持快速关断与反向电流阻断。  
🔹 H桥/半桥驱动电路:常与N-MOSFET配合构成DC电机驱动或LED调光电路,作为上桥臂(P-MOS)实现高效换向与能效优化。  
🔹 电池保护与反接保护:在单节锂电或3.3V/5V系统中,利用其体二极管特性与低Rds(on),实现低成本、低功耗的电源极性反接防护。  
🔹 热插拔与冗余电源设计:在通信模块、嵌入式系统中用作OR-ing FET,实现多电源自动切换与故障隔离。

该器件不适用于高频开关电源主功率级(因非超结结构,开关速度中等),但凭借双通道集成、小尺寸和成熟工艺,在中低功率(<2A连续电流)、空间受限且需成本效益比的嵌入式电源应用中优势显著。
产品参数 图文手册 常见问题
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