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  • 型号: SI4884DY
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4884DY由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4884DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI4884DY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4884DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4884DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SI4884DY 是安森美(ON Semiconductor)推出的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET,采用 SO-8 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 12.5 mΩ @ Vgs=10V,18 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=12A,脉冲可达 48A)及快速开关特性。其主要应用场景包括:

1. DC-DC 电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于笔记本电脑、主板 VRM、通信设备电源模块等中高效率、中功率(<50W)场景。

2. 负载开关与电源管理:在便携设备(如平板、工控板卡)中作为主电源通断控制开关,支持热插拔和功耗优化,得益于其低栅极电荷(Qg≈23nC)和逻辑电平驱动(可直接由 3.3V/5V MCU GPIO 驱动)。

3. 电机驱动与LED驱动:适用于小型直流电机(如风扇、泵)的H桥下臂,以及多路LED恒流驱动电路中的PWM调光开关。

4. 电池保护与充电管理:在锂电池保护板或快充方案中用作充放电路径控制开关,配合保护IC实现过流/短路保护。

该器件具备良好的热性能(RθJA≈70°C/W)和雪崩耐量,可靠性高,但不适用于高压(>40V)或高频(>1MHz)极端场景。设计时需注意PCB散热铺铜及栅极驱动稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
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