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- 型号： SI4463DY
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4463DY由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4463DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI4463DY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4463DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4463DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI4463DY 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SO-8（SOIC-8）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 28 mΩ @ VGS = 10 V）、额定电压 30 V、连续漏极电流达 8.5 A（TC = 25°C），具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），凭借低 RDS(on) 和快速开关特性提升效率； ✅ 负载开关与电源管理：在便携设备（如平板、POS 机、工业手持终端）中用作电池供电路径控制或外设供电使能开关； ✅ 电机驱动：适用于小功率有刷直流电机（如风扇、微型泵）的 H 桥或单路驱动电路中的功率开关； ✅ LED 驱动与背光控制：作为恒流源开关或 PWM 调光通路，支持中等电流 LED 阵列； ✅ 嵌入式系统接口保护/隔离：在 MCU 或 FPGA 的 I/O 扩展电路中实现电平转换或信号隔离驱动。 该器件具备 ESD 保护（HBM ≥ 2 kV），符合 RoHS，适合空间受限且对能效与可靠性有要求的中低功率应用。注意其栅极阈值电压（VGS(th) ≈ 1–2.5 V）支持 3.3 V 或 5 V 逻辑直接驱动，但为确保充分导通，建议 VGS ≥ 4.5 V。
产品参数
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