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- 型号： SI4431DY
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4431DY由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4431DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI4431DY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4431DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4431DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI4431DY 是安森美（ON Semiconductor）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用 SO-8 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 16 mΩ @ VGS = −10 V）、额定电压 −30 V、连续漏极电流 −12 A（TC = 25°C），具备逻辑电平驱动能力（VGS(th) 最高 −2.5 V），并集成体二极管，具备反向续流能力。 其典型应用场景包括： ✅ 电源管理中的高边/低边开关：常用于 DC-DC 转换器（如同步降压转换器的下管）、负载开关与电源路径管理； ✅ 电池供电系统保护：在便携设备（如笔记本电脑、POS 机、工业手持终端）中用作电池反接保护、充放电回路控制开关； ✅ 电机驱动与H桥电路：作为 H 桥一侧的 P 沟道开关，配合 N 沟道器件实现中小功率直流电机（≤20W）的正反转或刹车控制； ✅ LED 驱动与背光控制：用于 LED 串的调光/使能开关，尤其适合需负逻辑控制或共阴极架构的场景； ✅ 热插拔与电子保险丝（eFuse）设计：凭借快速开关特性和过流响应潜力，可构建限流/断电保护模块。 该器件强调高效率、小尺寸和易驱动特性，适用于空间受限、需中等功率开关且兼顾成本与可靠性的工业、消费类及汽车电子（非安全关键二级应用）领域。注意：实际使用中需合理设计栅极驱动与PCB散热（SO-8建议铺铜散热），并避免超过 SOA（安全工作区）限制。
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