Datasheet下载- 型号： SI4384DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4384DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4384DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4384DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4384DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4384DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4384DY-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。该器件采用1.2mm × 1.2mm DFN1212 小型封装，具备优异的热性能和空间利用率，适用于对体积敏感的便携式设备。 其主要应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源开关、负载开关和电池管理电路；在电源管理系统中用于DC-DC转换器的同步整流，提高转换效率；也可用于LED驱动电路中的开关控制。此外，SI4384DY-T1-GE3凭借低栅极电荷和快速开关特性，适合高频开关应用，提升系统响应速度并降低功耗。 由于其耐压为30V，持续漏极电流可达5.7A（典型值），在工业控制、物联网终端及小型电机驱动中也表现出良好的可靠性。总体而言，该MOSFET特别适用于高密度、低功耗、高性能要求的现代电子设备中，是实现小型化与高效能的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4384DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.47W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
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