图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3456DV由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3456DV价格参考。Fairchild SemiconductorSI3456DV封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3456DV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3456DV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI3456DV 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美半导体 ON Semiconductor)推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 48 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 5.5 nC)和小尺寸等特点。其典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备的电源管理:如智能手机、平板电脑、TWS 耳机中的负载开关或电池保护电路,用于控制外设供电通断,实现低功耗待机与快速响应。 2. DC-DC 转换器中的同步整流:在降压(Buck)转换器的高边或低边(配合N-MOS使用时)中作为高效开关,提升转换效率,适用于空间受限的电源模块。 3. LED 驱动与背光控制:用于中小功率 LED 的电流开关与调光(PWM 控制),尤其适合单节锂电(2.5–5.5 V 输入)供电系统。 4. 接口保护与热插拔电路:作为反向电压/过流保护开关,防止电源反接或浪涌损坏后级 IC(如 USB 接口、I²C/SPI 外设供电路径)。 5. 逻辑电平兼容的驱动电路:支持−1.8 V 至−4.5 V 栅极驱动,可直接由 MCU GPIO 或低压逻辑芯片控制,简化驱动设计。 注意:该器件为 P 沟道,常用于高侧开关配置;需注意其最大 VDS = −30 V、ID = −3.5 A(连续)的额定参数,避免超限使用。实际应用中建议参考 ON Semiconductor 官方数据手册(DS3456DV-D)进行热设计与PCB布局优化。