ICGOO在线商城 > SI1307EDL-T1-GE3
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SI1307EDL-T1-GE3产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 850MA SC-70-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1307EDL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 450mV @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 290 毫欧 @ 1A,4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 其它名称 | SI1307EDL-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 290mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 850mA (Ta) |