Datasheet下载- 型号： SI1069X-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1069X-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1069X-T1-E3价格参考。VishaySI1069X-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1069X-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1069X-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1069X-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用。该器件适用于需要高效、低导通电阻和小封装的场景，典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流和电池供电设备中的开关元件，提升能效。 2. 负载开关：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中作为高侧或低侧开关，控制电源分配。 3. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机、电磁阀或继电器电路，实现快速开关控制。 4. 保护电路：在过流、过压保护电路中作为控制元件，提高系统可靠性。 5. 工业控制：用于自动化设备、传感器模块和小型逆变器中，实现高效功率控制。 该器件采用小尺寸封装，适合空间受限的设计，且具备良好的热稳定性和耐用性，适合中低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 940MA SC89-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1069X-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 308pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.86nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 184 毫欧 @ 940mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 功率-最大值 | 236mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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