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  • 型号: SGS6N60UFDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGS6N60UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGS6N60UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGS6N60UFDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGS6N60UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGS6N60UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SGS6N60UFDTU 是安森美(ON Semiconductor)推出的600V、6A超结MOSFET(Super Junction MOSFET),采用TO-252(DPAK)封装,具备低导通电阻(Rds(on)典型值0.75Ω)、快速开关特性及优异的dv/dt抗扰能力。  

该器件不属IGBT,而是高性能高压功率MOSFET,适用于中等功率、高效率、高频开关场景。典型应用场景包括:  
- 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、LED驱动电源、PC/服务器辅助电源中的PFC(功率因数校正)级或主功率开关;  
- 离线式反激/准谐振(QR)转换器:凭借其快速体二极管与低Qg,可提升轻载效率并简化EMI设计;  
- 工业控制电源模块:如PLC电源、传感器供电单元等对可靠性与温升敏感的应用;  
- 家电电源系统:空调、洗衣机等变频设备的辅助电源或待机电源电路;  
- LED照明驱动:尤其适用于高PF、高能效要求的非隔离/隔离式恒压/恒流驱动方案。  

其UFDTU后缀表明符合AEC-Q101标准(汽车级认证),因此也可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等车规级次级电源,但需注意其额定电流与散热条件限制,不适用于主驱逆变等大功率电机驱动场景。  

综上,SGS6N60UFDTU主要面向30–100W级高效、高频、高可靠性AC-DC转换应用,兼顾成本、性能与设计简洁性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

15ns/60ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

25A

描述

IGBT 600V 6A 22W TO220F

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

15nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

SGS6N60UFDTU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

57µJ (开), 25µJ (关)

TestCondition

300V, 3A, 80 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.6V @ 15V,3A

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

22W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

52ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

输入类型

标准

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