Datasheet下载- 型号： SGP6N60UFDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SGP6N60UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGP6N60UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorSGP6N60UFDTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SGP6N60UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGP6N60UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGP6N60UFDTU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于高效率电源转换系统。该器件具有低导通电阻、高耐压（600V）和优异的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和照明镇流器等场景。其封装形式为TO-220，便于散热和安装，广泛用于工业控制、消费电子和汽车电子中的功率管理模块。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 15ns/60ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 25A |
| 描述 | IGBT 600V 6A 30W TO220 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 15nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SGP6N60UFDTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 57µJ （开）， 25µJ （关） |
| TestCondition | 300V, 3A, 80 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V，3A |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 52ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 输入类型 | 标准 |
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