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产品简介:
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SGP5N60RUFDTU 是安森美(ON Semiconductor)推出的600V、5A超结N沟道功率MOSFET,采用TO-220F封装,具备低导通电阻(Rds(on)典型值0.95Ω)、快速开关特性及优异的dv/dt抗扰能力。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等的主开关管,提升效率与功率密度; 2. PFC电路:适用于有源功率因数校正(如临界导通模式CrM或连续导通模式CCM PFC),助力满足IEC 61000-3-2谐波标准; 3. 工业控制与电机驱动:在中小功率变频器、风机/水泵驱动、电动工具控制中承担高频斩波与能量转换功能; 4. 家电电源系统:如空调、冰箱、洗衣机的内置开关电源及辅助电源模块; 5. UPS与逆变器:作为DC-AC逆变级或DC-DC升压级的主功率开关,支持高可靠、高效率运行。 该器件优化了体二极管反向恢复特性(带快恢复体二极管),可降低EMI并简化外围设计;TO-220F封装具良好散热性且符合RoHS,适合中等功率(约50–150W)通用开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 13ns/34ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 15A |
| 描述 | IGBT 600V 8A 60W TO220 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 16nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SGP5N60RUFDTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 88µJ (开), 107µJ (关) |
| TestCondition | 300V, 5A, 40 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,5A |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 55ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
| 输入类型 | 标准 |