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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SGD02N60
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SGD02N60由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGD02N60价格参考。InfineonSGD02N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SGD02N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGD02N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGD02N60 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的一款N沟道高压功率MOSFET（注意：并非双极性晶体管BJT，而是场效应晶体管——这是关键勘误）。其型号中“SGD”代表Superjunction CoolMOS™系列，“02”表示典型导通电阻RDS(on)≈2Ω（@VGS=10V），“60”代表击穿电压VDSS=600V。 该器件主要用于高频、高效率开关电源应用，典型场景包括： - 通用AC-DC适配器与充电器（如笔记本电脑、电视电源）； - LED驱动电源（尤其隔离式反激/准谐振拓扑）； - 工业开关电源、辅助电源模块； - 小功率PFC（功率因数校正）电路（作为升压开关管）； - 变频器与电机驱动中的低压侧开关（需配合驱动电路）。 其优势在于低开关损耗、优良的dv/dt鲁棒性及内置ESD保护，适用于QR（准谐振）、CCM/DCM反激等软开关拓扑，可提升整机效率并减小EMI滤波器尺寸。 ⚠️重要说明：用户提问中将SGD02N60归类为“双极性晶体管（BJT）”有误。该器件是超级结高压MOSFET，非BJT。Infineon的BJT单管产品线通常以“BFR”、“BC”、“BSP”等前缀命名（如BFR92A、BC847）。请在选型时严格区分器件类型，避免驱动、保护及热设计错误。 （字数：298）
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 20ns/259ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 12A |
| 描述 | IGBT 600V 6A 30W TO252-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 14nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SGP_D02N60_Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4283d5e3da6 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SGD02N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 64µJ |
| TestCondition | 400V, 2A, 118 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，2A |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | SGD02N60BUMA1 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 输入类型 | 标准 |
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