图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SFT1341-C-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SFT1341-C-TL-E价格参考。ON SemiconductorSFT1341-C-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SFT1341-C-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SFT1341-C-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SFT1341-C-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约2.8mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID连续达160A)及优异的开关性能。其主要应用场景包括: - 工业电源与服务器电源:用于同步整流、DC-DC转换器(如BUCK电路)的主开关或续流管,提升效率并降低温升; - 电动工具与电池供电设备:在无刷直流(BLDC)电机驱动的半桥/全桥逆变电路中作为高速开关,支持高脉冲电流和快速关断; - 通信电源与基站设备:适用于高可靠性、高功率密度的热插拔(Hot-swap)保护电路及OR-ing应用; - 汽车电子辅助系统:虽非AEC-Q101认证车规级器件,但在车载充电器(OBC)、DC-DC模块等非安全关键的12V/48V系统中可作功率开关使用(需设计冗余与降额); - LED驱动与固态继电器:利用其低导通损耗实现高效恒流控制或替代机械继电器。 该器件具备雪崩耐量(UIS)能力、内置ESD保护及优化的栅极电荷(Qg),利于高频(可达数百kHz)开关并减小驱动损耗。选型时需注意散热设计(TO-220需配合适当散热器)及PCB布局以抑制寄生振荡。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 10A TPMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 10 A |
| Id-连续漏极电流 | - 10 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor SFT1341-C-TL-E* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SFT1341-C-TL-E |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 112 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 112 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 700 |
| 系列 | SFT1341-C-TL-E |