图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： SFT1307-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SFT1307-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SFT1307-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanySFT1307-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SFT1307-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SFT1307-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SFT1307-TL-E 是一款由安森美（onsemi）推出的射频N沟道增强型MOSFET，专为高频、高效率射频功率放大应用优化。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站前端模块：适用于4G LTE及5G Sub-6 GHz频段（如2.3–2.7 GHz）的末级或驱动级功率放大器（PA），具备高增益、高效率和良好线性度。 - 小型基站（Small Cell）与毫微微基站（Femtocell）：凭借小尺寸（SOT-89封装）、低热阻和优异RF性能，适合空间受限、需中等输出功率（~1–3 W）的分布式射频单元。 - 无线基础设施中的宽带射频放大器：支持DC至3.5 GHz宽频带工作，可用于多频段/多标准（LTE/WiMAX/ISM）兼容的通用射频功放设计。 - 工业、科学与医疗（ISM）频段设备：如2.4 GHz Wi-Fi 6/6E中继器、蓝牙Mesh网关、RFID读写器等中功率射频发射电路。 该器件采用硅基工艺，集成ESD保护，具有低栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）和低输出电容（Coss），利于高频开关与匹配设计；推荐使用共源配置，配合50 Ω系统阻抗进行输入/输出匹配。需注意PCB布局优化（短引线、接地铺铜）以保障射频稳定性与散热性能。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
SFT1307-TL-E 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商