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- 型号： SFR9110TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SFR9110TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SFR9110TF价格参考。Fairchild SemiconductorSFR9110TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SFR9110TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SFR9110TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SFR9110TF 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.1 Ω @ VGS = 10 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.8 nC）和快速开关特性。其额定参数为：VDSS = 60 V，ID = 200 mA（连续），PD = 350 mW。 该器件主要面向空间受限、低功耗、中低压直流控制场景，典型应用包括： ✅ 便携式电子设备的负载开关（如蓝牙耳机、TWS充电仓、智能手环中的电池保护或模块供电通断控制）； ✅ LED驱动电路中的电流开关/调光控制（如指示灯、背光、状态灯的高效通断）； ✅ 电源管理单元（PMU）中的次级侧开关，用于USB接口过压/过流保护、热插拔控制； ✅ 微控制器（MCU）GPIO扩展驱动——以低驱动能力MCU（如8位/32位超低功耗MCU）直接控制小功率负载（如蜂鸣器、继电器线圈、传感器使能信号）； ✅ 电池供电系统中的反向电流阻断与电源路径管理（配合二极管或更高级方案实现简易OR-ing功能）。 其SOT-23封装便于自动化贴片、节省PCB面积，且热性能适配自然散热，无需额外散热器，适合消费类及工业IoT终端产品。需注意：实际使用中应确保VGS足够（推荐≥4.5 V）以充分导通，并在开关应用中合理设计栅极驱动（如加限流电阻防振铃）。不适用于大电流、高频率（>1 MHz）或高压（>60 V）主功率变换场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SFR9110TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 335pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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