Datasheet下载- 型号： SD57060-01
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SD57060-01由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SD57060-01价格参考。STMicroelectronicsSD57060-01封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SD57060-01参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SD57060-01 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 SD57060-01 是一款射频MOSFET（场效应晶体管），属于高性能的氮化镓（GaN）基增强型HEMT器件，主要用于射频功率放大应用。该器件具有高效率、高增益和优异的热稳定性，适用于高频、高功率的工作环境。 典型应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：广泛用于4G LTE和5G基站的射频功率放大器模块中，特别是在宏蜂窝和小基站系统中，支持高数据吞吐量和稳定信号覆盖。 2. 工业与国防雷达系统：凭借其在高频段（如L波段至S波段）的良好性能，适用于相控阵雷达、空中交通管制雷达及地面监视系统，提供高可靠性和长距离探测能力。 3. 广播与卫星通信：可用于UHF电视广播发射机和卫星上行链路设备，实现高效能、低失真的信号放大。 4. 宽带射频放大：适合工作在DC至数GHz频率范围内的宽带放大器设计，满足多频段兼容系统的集成需求。 SD57060-01采用先进封装技术，具备良好的散热性能和抗电磁干扰能力，适合紧凑型高密度电路布局。其增强型结构简化了栅极驱动设计，提高了系统安全性与易用性。总体而言，该器件适用于对效率、带宽和可靠性要求较高的现代射频功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOST M250 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SD57060-01 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | M250 |
| 其它名称 | 497-5480 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF64198?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | M250 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 7A |
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