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  • 型号: SCH1419-TL-E
  • 制造商: SANYO Semiconductor Company
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SCH1419-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCH1419-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanySCH1419-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SCH1419-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SCH1419-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SCH1419-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的高性能射频N沟道MOSFET,采用SOT-363(SC-70)小型封装,具有低栅极电荷、快速开关特性及优异的RF增益与效率表现。其典型应用场景包括:

1. 蜂窝通信前端模块:适用于2G/3G/4G LTE频段(如700–2700 MHz)的功率放大器末级或驱动级,尤其适合中低功率(<1W)手持设备(如智能手机、物联网终端)中的射频功率放大。

2. 无线基础设施辅助电路:用于小型基站(pico/femtocell)、Wi-Fi 6/6E接入点中的射频开关、T/R切换或线性度要求较高的驱动放大器。

3. ISM频段应用:支持868 MHz(欧洲)、915 MHz(北美)、2.4 GHz等免许可频段,适用于无线传感器网络、智能电表、遥控与工业遥测等低功耗、高可靠性RF系统。

4. 便携式射频设备:因封装小巧(2.2×2.2×1.1 mm)、热性能优化,适用于空间受限的蓝牙/Wi-Fi SoC配套射频链路、天线调谐开关或包络跟踪辅助电路。

该器件强调高增益(典型Gps >15 dB @ 2.4 GHz)、高效率(PAE >40%)及良好线性度,配合ON Semi成熟的硅基射频工艺,兼顾成本与性能,广泛服务于消费电子与工业物联网中的中频段射频功率管理需求。
产品参数 图文手册 常见问题
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