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  • 型号: SCH1333-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SCH1333-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCH1333-TL-H价格参考。ON SemiconductorSCH1333-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SCH1333-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SCH1333-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SCH1333-TL-H 是一款由 Rohm(罗姆)生产的 P 沟道增强型 MOSFET,采用小型 TSMT6 封装(2.9 mm × 2.8 mm),具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 15 mΩ @ Vgs = –4.5 V)、快速开关特性及高静电放电(ESD)耐受能力(HBM ±2000 V)。其典型应用场景包括:

- 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路,利用其低功耗、小尺寸和低电压驱动(支持–2.5 V 至 –12 V 栅极驱动)优势;
- DC-DC 转换器同步整流:在降压(Buck)转换器的高边或低边配置中提升效率,尤其适用于 3.3 V/5 V 输入系统;
- LED 驱动与背光控制:用于 OLED 或 Mini-LED 显示模块的局部调光(Local Dimming)开关,响应快、导通损耗低;
- 工业与IoT传感器节点:在电池供电的无线传感节点中实现常关型(normally-off)电源隔离,延长待机时间;
- 汽车电子辅助功能:符合 AEC-Q101(部分批次),适用于车规级非安全关键应用,如车载 USB 接口电源开关、氛围灯控制等。

该器件不适用于大电流主驱或高压(>20 V)场景,额定漏源电压为 –20 V,连续漏极电流为 –3.5 A(Tc=25°C),设计时需注意热管理与PCB散热布局。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 2A SCH6

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,1.8V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SCH1333-TL-H

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

250pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 1A,4.5V

供应商器件封装

6-SCH

功率-最大值

800mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Ta)

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