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- 型号： SCH1305-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SCH1305-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCH1305-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanySCH1305-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SCH1305-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SCH1305-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SCH1305-TL-E是一款N沟道增强型硅基射频MOSFET（RF MOSFET），采用小型表面贴装SOT-363（SC-70）封装，具有低栅极电荷、快速开关特性及良好的RF增益与效率。其典型应用场景包括： 1. 2.4 GHz ISM频段射频前端：广泛用于Wi-Fi（IEEE 802.11b/g/n）、Zigbee、蓝牙（BLE）等短距离无线通信设备的功率放大器（PA）或驱动级放大器； 2. 便携式无线终端：如物联网传感器节点、遥控器、智能穿戴设备中的低功耗射频发射模块； 3. 中低功率RF开关/调制器：凭借快速开关（纳秒级）和低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.5 Ω @ VGS=4.5V），适用于T/R切换、包络跟踪辅助电路等； 4. DC–1 GHz宽带小信号放大：适用于RF接收链路中的低噪声放大器（LNA）前级或缓冲级（需注意其NF非最优，更适合作为驱动级）。 该器件工作电压范围宽（2.5–5.5 V），支持单电源供电，适合电池供电系统；热性能优异，无需额外散热片，利于高密度PCB布局。不适用于大功率（>100 mW）或高频（>3 GHz）场景（如5G Sub-6GHz主PA），亦非碳化硅或GaN器件，不可用于高压/高温工业环境。总体定位为成本敏感、空间受限、中低功耗无线应用的理想射频开关与驱动器件。
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