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  • 型号: SC8673040L
  • 制造商: Panasonic Corporation
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SC8673040L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SC8673040L价格参考。Panasonic CorporationSC8673040L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SC8673040L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SC8673040L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 30V 16A/46A 8-HSOMOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 N 沟道(非对称桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

46 A

Id-连续漏极电流

46 A

品牌

Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Panasonic SC8673040L-

数据手册

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产品型号

SC8673040LSC8673040L

Pd-PowerDissipation

40 W

Pd-功率耗散

40 W

Qg-GateCharge

6.3 nC

Qg-栅极电荷

6.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.3 V to 3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.3 V to 3 V

上升时间

14 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 5.85mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1092pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 8A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-HSO

其它名称

P16273TR

典型关闭延迟时间

75 ns

功率-最大值

1.7W, 2.5W

包装

带卷 (TR)

商标

Panasonic

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

10 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

HSO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 85 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

46 A

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/panasonic-sk8-sc8-series/3821

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A, 46A

系列

SC8

配置

Dual

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