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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SBVS138LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SBVS138LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBVS138LT1G价格参考。ON SemiconductorSBVS138LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SBVS138LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SBVS138LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 SBVS138LT1G 是一款 P 沟道增强型 MOSFET（-20 V, -2.9 A, Rds(on) 典型值 95 mΩ @ Vgs = -4.5 V），采用超小型 SOT-23（TSOP-6）封装。其主要应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低导通电阻与小尺寸实现高效、紧凑的电源通断控制。 • DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（配合N-MOSFET使用），提升转换效率并降低发热。 • LED 驱动与背光控制：用于中小功率 LED 灯串的调光/开关控制，支持 PWM 驱动，响应快、功耗低。 • 接口电平转换与信号切换：在 I²C、USB 等低速总线中作电平移位或上拉/下拉开关，兼容 1.8 V–3.3 V 逻辑电平。 • 电池供电系统保护：如反向电池保护、过流/短路保护模块中的后级开关元件，具备快速关断能力与低静态电流。 该器件具有 ESD 保护（HBM ≥ 2 kV）、无铅且符合 RoHS，适用于空间受限、注重能效与可靠性的消费类及工业级嵌入式应用。注意其栅极阈值电压（Vgs(th) ≈ -0.45 V 至 -1.2 V）适合低压驱动，但需避免噪声误触发，建议合理设计驱动电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SBVS138LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
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