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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SBR60A150CT由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBR60A150CT价格参考。Diodes Inc.SBR60A150CT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SBR60A150CT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBR60A150CT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的SBR60A150CT是一款肖特基整流器阵列,属于二极管 - 整流器 - 阵列类别。其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电源管理:SBR60A150CT适用于各种电源管理电路,例如DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和开关电源(SMPS)。其低正向压降特性有助于提高效率,减少功率损耗。 2. 逆变器与电机驱动:在逆变器和电机驱动应用中,该器件可用于续流二极管或箝位二极管,以保护电路免受反电动势的影响。其快速恢复时间和低漏电流特性非常适合高频开关应用。 3. 电池充电与保护:在电池充电电路中,SBR60A150CT可用作隔离二极管,防止电池在未充电时放电。同时,在多电池系统中,它能实现电池间的平衡和保护。 4. 太阳能微逆变器:该器件适合用于小型太阳能微逆变器,帮助提高能量转换效率并减少热损耗。 5. 汽车电子:在汽车电子领域,SBR60A150CT可用于车载充电器、LED驱动器以及发动机控制单元(ECU)中的信号隔离和保护。 6. 数据通信设备:在网络路由器、交换机和其他通信设备中,该整流器阵列可以提供高效的能量转换和信号保护。 7. 消费类电子产品:在便携式设备(如智能手机和平板电脑)的充电接口及USB端口中,SBR60A150CT可作为保护二极管,防止过压和反接等问题。 总之,SBR60A150CT凭借其高性能参数和可靠性,广泛应用于需要高效整流和保护的各种电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SBR 150V 30A TO220AB肖特基二极管与整流器 60A 150Vrrm |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免库存产品核实请求 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated SBR60A150CTSBR® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SBR60A150CT |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 930mV @ 30A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 150V |
| 二极管类型 | 超级势垒 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=13401 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SBR60A150CTDI |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 峰值反向电压 | 150 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 500 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 250 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 0.93 V at 30 A |
| 正向连续电流 | 60 A |
| 热阻 | 1.2°C/W Jc |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/DiodesInc/sbr.html |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 150V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 30A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Dual Common Cathode |