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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SBR1U200P1-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBR1U200P1-7价格参考。Diodes Inc.SBR1U200P1-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SBR1U200P1-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBR1U200P1-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 SBR1U200P1-7 是一款超快速恢复整流器,属于二极管 - 整流器 - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):SBR1U200P1-7 的超快恢复时间和低正向压降特性使其非常适合用于开关电源中的整流部分,能够提高效率并减少功率损耗。 - DC-DC 转换器:在 DC-DC 转换电路中,该二极管可以作为同步整流或输出整流元件,确保高效的电压转换。 2. 逆变器和电机驱动 - 逆变器应用:在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,这款二极管可用于直流到交流的转换过程,支持高频切换。 - 电机驱动保护:在电机驱动电路中,SBR1U200P1-7 可以用作续流二极管,保护开关器件免受反电动势的影响。 3. 消费电子设备 - 充电器和适配器:由于其低功耗和高效性能,该型号广泛应用于手机、笔记本电脑等便携式设备的充电器和适配器中。 - 音频设备:在音响设备和其他音频系统中,该二极管可用于电源整流,提供稳定的电流供应。 4. 工业自动化 - PLC 和传感器供电:在可编程逻辑控制器(PLC)和传感器供电电路中,该二极管可以实现高效的直流电整流。 - 工业通信接口:用于 RS-485 或 CAN 总线等通信接口的电源部分,提供稳定且高效的整流功能。 5. 汽车电子 - 车载充电器:在汽车电子领域,SBR1U200P1-7 可用于车载充电器的整流电路,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 - LED 照明驱动:在汽车 LED 灯具的驱动电路中,该二极管可以提供高效的电流整流。 6. 通信设备 - 基站电源:在通信基站的电源模块中,该二极管可以用于整流和滤波,确保设备的高效率运行。 - 信号放大器:在射频信号放大器的电源部分,SBR1U200P1-7 可以提供稳定的直流电输出。 特性总结 SBR1U200P1-7 的主要特点包括 1A 的正向电流、200V 的反向电压以及超快的恢复时间(典型值为 35ns),这些特性使其特别适合高频、高效能的应用场合。此外,其小型化的封装设计(如 DO-214AC)也使其易于集成到紧凑型设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SBR 200V 1A POWERDI123肖特基二极管与整流器 SBRULTRA LOW VF 1A200V |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated SBR1U200P1-7SBR® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SBR1U200P1-7 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 820mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 200V |
| 二极管类型 | 超级势垒 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=13401 |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | PowerDI™ 123 |
| 其它名称 | SBR1U200P1-7DIDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 25ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 商标名 | POWERDI |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | PowerDI123-2 |
| 峰值反向电压 | 200 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 恢复时间 | 25 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大功率耗散 | 900 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 50 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 40 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.75 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 217°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 200V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |