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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SBE002-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBE002-TL-E价格参考。ON SemiconductorSBE002-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SBE002-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBE002-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SBE002-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的双共阴极肖特基势垒整流器阵列,采用SOT-23-3封装,含两个独立的肖特基二极管(共阴极结构),最大反向电压VRM为20 V,平均整流电流IO为200 mA(每路),正向压降VF典型值仅约0.35 V(IF = 100 mA),具有超低功耗、快速开关(无反向恢复电荷)和高效率特点。 其主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备(智能手表/手环)中的USB充电路径管理、电池充放电保护电路及负载切换; 2. DC-DC转换器输出整流:在小型升压/降压模块中作同步整流替代或辅助整流,提升轻载效率; 3. 反向电压/极性保护电路:利用双二极管结构实现输入端防接反保护(如USB接口或电池接入端); 4. 信号与电源隔离/钳位:在低电压逻辑接口(如I²C、GPIO)中用于ESD防护或电平钳位; 5. 空间受限的消费类与IoT终端:得益于微型SOT-23-3封装,适用于PCB面积严苛的高密度设计。 该器件不适用于高压、大电流或工频整流场景,典型工作环境温度为–65 °C 至 +150 °C,符合AEC-Q200可靠性标准(部分批次),亦可用于车规级低功耗子系统(如车身控制模块传感器供电)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 50V 1A 6CPH肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE 1A 50V |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor SBE002-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SBE002-TL-E |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 550mV @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 80µA @ 25V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 4 共阳极 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | 6-CPH |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | 10ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | CPH-6 |
| 峰值反向电压 | 50 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 10 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大二极管电容 | 52 pF |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.55 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 50V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 1A |
| 系列 | SBE002 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |