Datasheet下载- 型号： RW2S0DAR010FET
- 制造商： Ohmite
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RW2S0DAR010FET由Ohmite设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RW2S0DAR010FET价格参考。OhmiteRW2S0DAR010FET封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RW2S0DAR010FET参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RW2S0DAR010FET 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ohmite RW2S0DAR010FET 是一款高精度、高功率的厚膜片式电阻器（表面贴装型），阻值为0.01Ω（10mΩ），公差±1%，额定功率达2W（在70℃下），采用2512封装（6.35×3.2mm），具备低TCR（±100 ppm/℃）、优异的脉冲耐受能力及四端子开尔文结构设计（用于精确电流采样）。 其典型应用场景包括： ✅ 电流检测与监控：广泛用于开关电源（DC-DC转换器、POL模块）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）中，实时监测负载电流，配合运放或专用电流检测IC实现精准闭环控制； ✅ 工业电源与服务器电源：在大电流输出路径（如CPU/GPU供电VRM）中作为毫欧级采样电阻，兼顾低功耗与高稳定性； ✅ 新能源领域：光伏逆变器、储能系统中的充放电电流采集，满足高可靠性与长期温漂要求； ✅ 汽车电子（AEC-Q200兼容版本适用）：车载OBC（车载充电机）、DC-DC变换器等对安全性和鲁棒性要求严苛的场景（需确认具体批次是否通过AEC-Q200认证）； ✅ 测试设备与电源负载：电子负载、可编程电源内部的电流反馈回路，依赖其低阻值精度与热稳定性保障测量准确性。 注：该型号采用端接镀锡铜合金材料，具备良好焊接性与抗浪涌能力，适用于自动贴装产线。实际选型时需关注PCB布局（避免热干扰与寄生电感）、散热设计（建议大面积敷铜）及高频应用下的寄生参数影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电阻器 |
| 描述 | RES 0.01 OHM 2W 1% SMD |
| 产品分类 | 芯片电阻 - 表面安装 |
| 品牌 | Ohmite |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RW2S0DAR010FET |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | RW |
| 供应商器件封装 | SMD J 引线，基座 |
| 其它名称 | OHRW2S0DAR010FET |
| 功率(W) | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 大小/尺寸 | 0.455" 长 x 0.240" 宽（11.56mm x 6.10mm） |
| 容差 | ±1% |
| 封装/外壳 | 4524 J 形引线 |
| 成分 | 绕线 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 温度系数 | - |
| 特性 | 电流检测 |
| 电阻(Ω) | 0.01 |
| 端子数 | 2 |
| 高度 | 0.231"（5.87mm） |
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