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- 型号： RW1A025APT2CR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RW1A025APT2CR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RW1A025APT2CR价格参考。ROHM SemiconductorRW1A025APT2CR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RW1A025APT2CR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RW1A025APT2CR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RW1A025APT2CR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（TSON-8，即TSMT8），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 2.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A）及优异的开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换器：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并减小散热需求； 2. 电机驱动电路：适用于无人机电调（ESC）、BLDC风扇驱动、小型伺服系统等中高功率、高频PWM驱动场合； 3. 电池管理系统（BMS）：作为充放电回路的主控开关或保护路径MOSFET，支持大电流双向控制与快速过流切断； 4. LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动或调光模块中用作高效开关器件； 5. 车载电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车身控制模块（如车窗升降、座椅调节）中的负载开关。 该器件具备强抗雪崩能力、低栅极电荷（Qg ≈ 46 nC）和优化的体二极管反向恢复特性，适合高频（数十kHz至数百kHz）、高效率、紧凑型设计场景。使用时建议配合低感PCB布局与合理驱动（推荐VGS = 10–12 V以确保充分增强），并注意热管理（结温≤150°C）。
产品参数
图文手册
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