Datasheet下载- 型号： RTQ030P02TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RTQ030P02TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTQ030P02TR价格参考。ROHM SemiconductorRTQ030P02TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RTQ030P02TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RTQ030P02TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RTQ030P02TR 是罗姆（ROHM）半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用小型TSMT3封装（尺寸约2.9×2.8×0.8 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 30 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为−20 V，连续漏极电流达−3.0 A（Tc = 25°C），适用于低压、中等电流的电源管理场景。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源开关：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关（Load Switch），用于控制USB接口、传感器或LED等外设供电，实现低功耗待机与快速启停； 2. 电池保护电路：在单节锂离子/聚合物电池（2.5–4.2 V）系统中，作为充放电路径的反向阻断开关或过流保护开关； 3. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中，配合N-MOSFET作同步整流，提升效率（尤其在轻载时）； 4. H桥驱动局部控制：用于小功率有刷电机或电磁阀的半桥侧开关，实现方向或使能控制； 5. LED背光/指示灯驱动：作为高边（High-side）开关，支持PWM调光，响应快、发热低。 其小尺寸、无铅封装及AEC-Q200兼容性（部分批次）也使其适用于空间受限的消费类及车载信息娱乐（IVI）辅助电路。需注意：使用时应确保VGS不超过±12 V，并合理设计PCB散热焊盘以维持温升可控。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTQ030P02TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RTQ030P02TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RTQ030P02CT |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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