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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RTL020P02TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RTL020P02TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTL020P02TR价格参考。ROHM SemiconductorRTL020P02TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RTL020P02TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RTL020P02TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RTL020P02TR 是罗姆（ROHM）半导体推出的P沟道增强型MOSFET，采用小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅28 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低阈值电压（Vth ≈ –0.7 V至–1.3 V）及快速开关特性。其额定电压为–20 V，连续漏极电流达–2.0 A（Ta=25℃），适合低压、小功率、高效率的直流控制场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低Rds(on)和小封装节省PCB空间； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（尤其在输出侧），提升转换效率并降低温升； ✅ H桥电机驱动：用于微型直流电机（如振动马达、镜头对焦机构）的低侧或高侧开关，配合逻辑电平驱动（兼容1.8 V/3.3 V MCU GPIO）； ✅ LED背光/指示灯调光控制：作为恒流源开关或PWM调光通路，响应快、无机械触点磨损； ✅ USB端口过流/反向保护：利用P-MOSFET的天然反向阻断特性，实现防倒灌、热插拔保护等。 该器件具备ESD防护（HBM ≥2000 V）及AEC-Q200可靠性认证（部分批次），亦适用于车规级辅助系统（如座舱传感器模块）。需注意设计时合理布局散热路径，并确保栅极驱动稳定（避免振荡），推荐使用100 Ω左右栅极电阻。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RTL020P02TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 135 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TUMT6 |
| 其它名称 | RTL020P02CT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
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