【未分类_RT1C060UNTR】封装/厂家_RT1C060UNTR中文资料_价格

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型号： RT1C060UNTR
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供RT1C060UNTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RT1C060UNTR价格参考。ROHM SemiconductorRT1C060UNTR封装/规格：未分类，暂无。您可以下载RT1C060UNTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RT1C060UNTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RT1C060UNTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用小型TSMT3封装（尺寸仅1.6×1.6×0.7mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅15mΩ @ VGS=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈2.1nC）和快速开关特性。其额定电压为20V，连续漏极电流ID达6A（Ta=25℃），适合低压、中电流、高效率的开关应用。

典型应用场景包括：  
✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或LED背光驱动；  
✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中替代肖特基二极管，提升转换效率；  
✅ 电机驱动模块：用于微型直流电机（如振动马达、小风扇）的H桥或单路驱动，支持PWM调速；  
✅ USB接口/Type-C端口保护与限流开关：配合过流保护IC实现智能电源通断控制；  
✅ IoT传感器节点与可穿戴设备的电源域隔离：利用其低静态电流与快速响应（开启/关断时间均<10ns），实现按需供电以延长电池寿命。

该器件支持逻辑电平驱动（3.3V/5V TTL兼容），无需额外升压电路，简化设计；TSMT3封装具备优良热性能与高密度贴装能力，特别适用于空间受限的紧凑型终端产品。

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