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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RSS110N03TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS110N03TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS110N03TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS110N03TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS110N03TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS110N03TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS110N03TB 是罗姆（ROHM）公司出品的N沟道增强型功率MOSFET，采用TSMT6封装（小型表面贴装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅11 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度、强抗雪崩能力及优良热性能。其额定参数为：Vds=30V，Id=11A（连续），Pd=2.5W（Tc=25℃）。 该器件主要应用于中小功率、高效率、空间受限的DC-DC电源系统中，典型场景包括： ✅ 智能手机/平板电脑的负载开关与电池保护电路（如充电路径管理、过流/反向电压防护）； ✅ 便携式设备（TWS耳机、智能穿戴）中的LED背光驱动、马达驱动（微型振动马达）及电源轨切换； ✅ 通信模块（如Wi-Fi/蓝牙模组）的供电控制与电源时序管理； ✅ 工业IoT节点、传感器终端的低功耗电源开关与电池供电系统中的高效降压转换器（如同步Buck控制器的下管）； ✅ 汽车电子中的车身控制模块（BCM）非安全相关负载（如LED灯控、风扇调速等，满足AEC-Q101认证版本适用）。 其小尺寸、低Rds(on)和快速开关特性，特别适合需高频工作（>500kHz）、高能效及紧凑布局的应用，但不适用于高压（>40V）或大电流（>20A）主功率场景。使用时建议配合合理PCB散热设计与栅极驱动优化，以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS110N03TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.7 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSS110N03TBDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
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