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- 型号： RSS100N03FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS100N03FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS100N03FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS100N03FU6TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS100N03FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS100N03FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS100N03FU6TB 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用超小型封装（UMOSFET™，尺寸仅0.6×0.3mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅10mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈2.1nC）和快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流达1.0A（Ta=25℃），适合低压、高效率、空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括： ✅ 智能手机/可穿戴设备电源管理：用于USB接口保护、电池充放电路径切换（如负载开关）、LED背光驱动及DC-DC转换器（如同步降压Buck电路的下管）； ✅ TWS耳机与蓝牙模块：在微型电源系统中实现高效、低噪声的电压调节与负载控制； ✅ IoT传感器节点与小型电机驱动：驱动微型振动马达、蜂鸣器或LED指示灯，兼顾低功耗与快速响应； ✅ 车载电子辅助模块：适用于车规级信息娱乐系统中的低压逻辑电平转换或LED灯控（满足AEC-Q101可靠性认证）。 该器件支持1.8V逻辑电平驱动（Vgs(th)低至0.6–1.2V），兼容现代MCU的低压IO口，配合超小封装显著节省PCB面积，特别适配对尺寸、能效与响应速度要求严苛的消费类及工业级微型化设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS100N03FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1070pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
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