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- 型号： RSS090P03FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS090P03FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS090P03FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS090P03FU6TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS090P03FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS090P03FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS090P03FU6TB 是罗姆（ROHM）推出的P沟道Trench MOSFET，采用小型封装SOT-457（即TSOP-6），具有低导通电阻（Rds(on) typ. 12.5 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、快速开关特性及高可靠性。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、智能手表）中的负载开关（Load Switch），实现对后级电路的高效通断控制，降低待机功耗； 2. 电池保护电路：在锂离子/聚合物电池包中，作为充放电回路中的反向阻断或保护开关，防止过放、反接或短路； 3. DC-DC转换器：在同步降压（Buck）转换器中作同步整流管（尤其在低电压输入侧），提升转换效率； 4. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED阵列的PWM调光开关，支持高频开关（>1 MHz），响应快、发热低； 5. 汽车电子辅助系统：适用于车载USB充电口、车身控制模块（BCM）中的低压（≤12 V）电源分配与冗余切换（符合AEC-Q101认证，具备车规级可靠性）。 该器件额定电压–30 V、连续漏极电流–9 A（Tc=25°C），内置ESD保护，支持±8 kV HBM，适合空间受限、高能效要求的紧凑型设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS090P03FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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