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- 型号： RSS080N05FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS080N05FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS080N05FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS080N05FU6TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS080N05FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS080N05FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS080N05FU6TB 是罗姆（ROHM）公司推出的N沟道功率MOSFET，采用小型封装（如HSOP-6或类似），具有低导通电阻（Rds(on) typ. 8.0 mΩ @ Vgs=10V）、50V耐压、连续漏极电流达30A（Tc=25℃），并具备高开关速度与强抗雪崩能力。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于车载USB充电器、车载LED驱动、ADAS模块等汽车电子中的同步降压（Buck）电路，凭借低Rds(on)和小封装实现高效率与紧凑设计； ✅ 电机驱动：适用于小型无刷直流（BLDC）电机控制（如电子助力转向EPS辅助电路、车窗升降、座椅调节等），支持高频PWM驱动； ✅ 负载开关与电源管理：在便携式设备或工业控制板中用作主电源通断开关，支持快速启停与过流保护配合； ✅ LED照明驱动：用于汽车尾灯、日间行车灯（DRL）等恒流驱动电路的高端/低端开关； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电回路中的保护开关，配合控制器实现过流/短路保护。 该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备良好的热稳定性和ESD防护能力，特别适合空间受限、要求高可靠性及能效的车规级应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS080N05FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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