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- 型号： RSS050P03FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS050P03FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS050P03FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS050P03FU6TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSS050P03FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS050P03FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS050P03FU6TB 是罗姆（ROHM）推出的P沟道增强型MOSFET，采用小型无引线封装（U-MOSVI系列，封装为SOT-23-3或等效的TSMT3），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅4.5 mΩ @ VGS = –4.5 V）、快速开关特性及高可靠性。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的负载开关（Load Switch），实现系统供电的高效启停与反向电流阻断； 2. 电池保护电路：在锂离子电池保护板中作为充/放电回路的控制开关，配合保护IC实现过流、短路和反接保护； 3. DC-DC转换器：在同步降压（Buck）转换器中作高边或低边开关（尤其适用于低压输入场景，如1–3.6 V供电系统），提升转换效率； 4. LED驱动与背光控制：用于OLED/LCD屏背光调光电路，支持PWM调光，具备低损耗与快速响应优势； 5. 热插拔与USB接口保护：在USB Type-C端口或PD协议相关设计中，用作VBUS路径开关，防止浪涌与误插导致的损坏。 该器件额定电压为–30 V，连续漏极电流达±4.5 A（ID），具备内置ESD保护（HBM ±2000 V），适合空间受限、高能效要求的消费电子与工业小型化应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSS050P03FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
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