Datasheet下载- 型号： RSQ035N03TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSQ035N03TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSQ035N03TR价格参考。ROHM SemiconductorRSQ035N03TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSQ035N03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSQ035N03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSQ035N03TR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-23），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅35mΩ @ Vgs=10V）、低栅极电荷（Qg≈2.8nC）及快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流达3.5A（Tc=25℃），适合中低功率、高效率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或LED背光驱动； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压型BUCK/BOOST电路中提升转换效率； ✅ 电机驱动与负载控制：用于小型直流电机（如风扇、振动马达）、电磁阀或继电器驱动等低功耗开关应用； ✅ USB接口过流保护与热插拔控制：凭借快速响应和低压降特性，保障接口安全； ✅ 工业与IoT传感器节点电源开关：在低功耗无线模块（如BLE、Zigbee）中实现按需供电，延长电池寿命。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.5V），可直接由MCU GPIO控制，无需额外驱动电路；小尺寸SOT-23封装便于高密度PCB布局，且具备良好的热性能与可靠性，符合AEC-Q101（车载级）标准的衍生设计，亦适用于部分汽车电子辅助系统（如车身控制模块）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6MOSFET Load Switching Nch; 30V; 3.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSQ035N03TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSQ035N03TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 62 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 62 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 62 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RSQ035N03CT |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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