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Datasheet下载- 型号： RSJ550N10TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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RSJ550N10TL产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSJ550N10TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供RSJ550N10TL价格参考以及ROHM SemiconductorRSJ550N10TL封装/规格参数等产品信息。 你可以下载RSJ550N10TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有RSJ550N10TL详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSJ550N10TL 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-263（D2PAK）封装，具有100V耐压、55A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻Rds(on)典型值仅10mΩ（Vgs=10V），并具备优异的开关速度与雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：广泛用于工业/通信设备中的同步整流BUCK电路，提升转换效率； ✅ 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制、步进电机H桥驱动及风扇调速模块； ✅ 电源管理与负载开关：在服务器电源、LED驱动电源、电池管理系统（BMS）中用作高效主开关或热插拔保护器件； ✅ 逆变器与UPS系统：作为高频开关元件，支持中频逆变应用（如光伏微逆变器辅助电路）； ✅ 汽车电子（AEC-Q101兼容）：可用于车载DC/DC转换、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动等非安全关键系统。 该器件具备强抗dv/dt能力、内置ESD保护及优化的栅极电荷（Qg≈60nC），兼顾高效率与设计简洁性。建议配合适当驱动电路（如ROHM专用栅极驱动IC）及散热设计（PCB铜箔面积≥200mm²）以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 55A LPTS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RSJ550N10TL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 143nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16.8 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 供应商器件封装 | LPTS |
| 其它名称 | RSJ550N10TLCT |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-83 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Ta） |
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