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  • 型号: RSJ450N04TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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RSJ450N04TL产品简介:

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RSJ450N04TL 是罗姆(ROHM)半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263(D2PAK)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅4.5mΩ @ Vgs=10V)、高连续漏极电流(ID=120A)、耐压40V等特点。其主要应用场景包括:

- DC-DC电源转换器:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路,提升转换效率并降低温升;  
- 电机驱动系统:适用于无人机电调(ESC)、电动工具、小型BLDC/PMSM电机的H桥或半桥驱动,支持高频PWM开关(可达数百kHz);  
- 电池管理系统(BMS):用作充放电主回路的高侧/低侧开关,实现过流保护与负载切断;  
- LED照明驱动:在大功率恒流LED驱动中作为调光开关或PWM控制器件;  
- 车载电子:符合AEC-Q101标准(注:需确认具体型号是否为车规级,RSJ450N04TL为工业级,但部分衍生型号可用于汽车辅助系统),适用于车载USB快充模块、灯光控制等12V/24V低压系统。

该器件具备优异的雪崩耐量和短路耐受能力,配合低栅极电荷(Qg≈80nC),可显著减小驱动损耗,适合高密度、高效率设计。使用时建议搭配合适的栅极驱动器与散热设计(如敷铜面积≥10cm²),以发挥其性能优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 45A LPTS

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

RSJ450N04TL

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.5 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

LPTS

其它名称

RSJ450N04TLCT

功率-最大值

50W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-83

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A (Ta)

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