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  • 型号: RSH140N03TB1
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RSH140N03TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSH140N03TB1价格参考。ROHM SemiconductorRSH140N03TB1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RSH140N03TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSH140N03TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RSH140N03TB1 是一款由瑞萨电子(Renesas)推出的N沟道增强型MOSFET,采用TO-220AB封装,具有30V耐压、140A连续漏极电流(Tc=25℃)、极低导通电阻(Rds(on)典型值仅1.4mΩ @ Vgs=10V),并具备优异的开关速度与热稳定性。

其典型应用场景包括:  
✅ 高效率DC-DC电源转换:广泛用于服务器/通信设备的POL(Point-of-Load)模块、CPU/GPU供电VRM(电压调节模块)中,作为同步整流开关,显著降低导通损耗;  
✅ 电动工具与电池管理系统(BMS):适用于12V–24V电池供电系统中的主功率开关或充放电保护回路,支持大电流瞬态响应;  
✅ 工业电机驱动与逆变器:在小型BLDC电机控制器中承担H桥下管开关,配合快速关断能力实现高效PWM控制;  
✅ LED照明驱动与电子负载:用于恒流调光电路或可编程电子负载的主功率器件,兼顾高可靠性和低发热。

该器件内置ESD保护与雪崩耐量设计(UIS额定),适配严苛工业环境;但需注意其栅极阈值电压较低(典型1.8V),建议使用稳定≥4.5V的驱动电压以确保充分导通,并配合合理PCB布局与散热设计(如加装散热片)以发挥140A电流能力。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 14A SOP8MOSFET Nch 30V 14A MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

14 A

Id-连续漏极电流

14 A

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

http://www.rohm.com/products/discrete/transistor/mosfet/rsh140n03/

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSH140N03TB1-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

RSH140N03TB1

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

产品目录绘图

产品种类

MOSFETs

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

RSH140N03TB1CT

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOP-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Ta)

配置

Single

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